Компания IBM объявила о создании первого чипа, выполненного по так называемому 2-нанометровому техпроцессу. Он построен на архитектуре GAA, а плотность транзисторов в нем достигает 333 миллиона на квадратный миллиметр. Ожидается, что процессоры, производимые по новому техпроцессу поступят в серийное производство не раньше 2024 года.
На протяжении почти всей истории полупроводниковой промышленности производители чипов стараются уменьшить размеры транзисторов и их элементов, потому что это дает несколько преимуществ. Во-первых, меньший размер транзистора позволяет быстрее переключать его состояния и тратить на это меньше энергии. Благодаря этому повышается общая энергоэффективность чипа, что зачастую напрямую отражается на важных для потребителя свойствах, например, позволяет увеличить длительность работы от одного заряда аккумулятора. Во-вторых, при меньшем размере транзистора на одной полупроводниковой пластине можно разместить больше чипов. Кроме того, это уменьшает время, требуемое на прохождение сигнала между компонентами чипа.
Традиционно техпроцесс в чипах принято называть в нанометрах. Однако если раньше этот параметр нес конкретный физический смысл, как правило, отражая длину затвора или размер наименьшего компонента в транзисторе, то уже довольно давно этот термин не привязан к какой-либо конкретной величине и фактически превратился в маркетинговое название.
Компания IBM, которая сама не производит чипы, но активно ведет разработки в этой области и лицензирует технологии другим производителям, объявила о создании первого тестового чипа, выполненного по 2-нанометровому техпроцессу. В новом техпроцессе используется архитектура GAA (Gate-all-around), при которой затвор транзистора окружает канал со всех сторон. В реализации IBM канал состоит из трех пластин, расположенных друг над другом и имеющих толщину (высоту) в 5 нанометров. Длина канала составляет 12 нанометров.
Григорий Копиев
IBM показала первый чип на 2-нанометровом техпроцессе - N+1
Read More
No comments:
Post a Comment